三次元半導体研究センター 社会システム実証センター 公益財団法人福岡県産業 科学技術振興財団

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86件の機器がヒットしました。

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    No. 機器名 R3 プロービングシステム（120GHz）　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー
    型番
    装置概要 デバイスの電圧、電流、抵抗などの特性を測定、評価する際に、測定端子などのプロービングをサポートする装置です。
    主にGSGプローブを使用する120GHz対応のネットワークアナライザとセットで使用します。
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    No. 機器名 R2 120GHzネットワークアナライザ　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー キーサイト・テクノロジー株式会社
    型番 N5291A
    装置概要 高速データ通信やミリ波通信などの分野で使用される120GHz帯域のネットワーク信号を解析するための装置です。信号の品質を評価し、ノイズや干渉を検出するために使用します。５G、ポスト５G領域での試験研究、人材育成、シミュレーション解析や実デバイス試作等が可能となります。
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    No. 機器名 S6 二流体洗浄装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー ジャパンクリエイト（株）
    型番
    装置概要 超音速噴射ノズルから蒸気と液体の２流体を超音速で噴射し、対象物の表面に微細な泡を発生させ微細な泡が破裂する衝撃波の剪断力により、対象物に触らず洗浄することができる装置です。
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    No. 機器名 59 ＴＤＲオシロスコープ　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー テクトロ二クス社
    型番 DSA8200＋80E10
    装置概要 電線やケーブルの内部構造を解析するための装置です。今日の高速信号設計では、信号パスの特性評価やBER性能解析など、信号の高速化にともないますます難しくなっています。広いTDR帯域、高速なSパラメータ測定、総合的な解析ツールなど、DSA8200型デジタル・シグナル・アナライザは、優れたネットワーク／リンク解析ソリューションを備えています。
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    No. 機器名 51 絶縁膜形成装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー サムコ（株）
    型番 PD-200STP
    装置概要 液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜（SiO2）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を形成することが可能です。
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    No. 機器名 5 プリント基板外形加工機（プリント基板ルーター）　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー 日立ビアメカニクス（株）
    型番 NR-1S211/H･MARK-50V
    装置概要 プリント基板を指定のサイズ切り出すための装置です。
    外形加工のほか、ドリル加工やキャビティ加工をすることも可能です。
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    No. 機器名 34 積層前粗化処理装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー Ampoc Far East
    型番
    装置概要 基板製造において、ビルドアップフィルムやプリプレグ等の層間絶縁樹脂を積層する前に、密着性を向上させるため銅表面を粗化するために使用する装置です。
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    No. 機器名 63 自動研磨機 (64 研磨濾過器含む）　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー Buehler
    型番 Auto-Met250
    装置概要 オートメット250は、最大10インチ[254mm]の研磨盤に対応し、大量生産環境にも対応できます。この堅牢な機械は、信頼性の高い結果をもたらし、メンブレンパネルを使用しての制御により再現性の高い表面仕上げを提供できます。最高級のCarbiMet研磨紙とMetaDiダイヤモンドサスペンション液と組み合わせることで、比類のない仕上げ面を得ることができます。
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    No. 機器名 L4 ボンドテスタ　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー dage
    型番 SERIES4000
    装置概要 4000万能型ボンドテスターは、センサーカートリッジを交換することで、あらゆるプル測定及びシェア測定の用途に対応できます。
    三次元半導体研究センターでは、接続ワイヤプルテスト、ボールシェア、ダイシェアの測定が可能です。
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    No. 機器名 S7 基板用Ni/Auめっき　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー
    型番
    装置概要 基板製造において、Padの保護やはんだ濡れ性向上のためのNi/Auめっきを行う装置です。
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    No. 機器名 12 真空ラミネータ　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー ニッコー・マテリアルズ社
    型番 V-160
    装置概要 感光材等のフィルム材料を基板へ貼り付けるための装置です。
    フィルムを貼り付ける際、しわやボイドが生じないよう、基板を加熱しながら真空条件下で加圧することで、フィルムの平坦性、密着性を向上させます。
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    No. 機器名 50 リアクティブイオンエッチャー　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー サムコ（株）
    型番 RIE-800iPE
    装置概要 放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用した、MEMS、電子部品用途の高速シリコンディープエッチング装置です。実績豊富なトルネードICP®装置を基礎に、ロバートボッシュ社（独）が有するシリコンディープエッチングに関する特許をライセンス導入して開発され、MEMSに求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した高性能な専用加工装置です。
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    No. 機器名 L8 酸化膜エッチング装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー SAMCO
    型番 RIE-10NR
    装置概要 Si、Poly-Si、SiO2などの各種シリコン薄膜やポリイミドなど樹脂薄膜の異方性加工を目的とした平行平板型反応性イオンエッチング (RIE:Reactive Ion Etching) 装置です。（通称　旧10NR）
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    No. 機器名 47 ８インチ用ウェハマニュアル洗浄装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー マック産業機器（株）
    型番 ME-100-1009
    装置概要 ウェハーの表面に付着した汚染物質や不純物を取り除くために使用する装置です。
    超純水による洗浄が可能で、洗浄の度合いを水の比抵抗値を観察しながら処理ができる装置です。
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    No. 機器名 37 電解ビアフィルめっき装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー （株）向電工業
    型番
    装置概要 基板製造において、基板上の配線パターンやビアへめっきすることにより、銅配線を形成するための装置です。
    電解めっきであるため、レジストで保護されている箇所はめっきされず、シード層上のみめっきされます。
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    No. 機器名 65 FE-SEM (電界放出型分析走査電子顕微鏡)　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー 日本電子（株）
    型番 JSM-7600F
    装置概要 ショットキー電界放出電子銃(T-FEG) およびセミインレンズタイプコニカル対物レンズ採用の高分解能走査電子顕微鏡に、EDS分析機能を搭載した高分解能分析電子顕微鏡です。さらに、従来からの低加速電圧観察専用モード、低角度反射電子検出器、エネルギーフィルタ機能の採用でセラミックスなどの絶縁物や半導体など導電性のない試料観察ができます。また元素分析は、20mm２シリコンドリフト検出器（SDD）を採用し、高スループット分析を提供します。
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    No. 機器名 81 超音波探傷装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー (株) SRT
    型番 VSA M350
    装置概要 本装置は、超音波を応用した映像装置です。３軸スキャナ機構上に設置した超音波探触子を介して超音波の送信と受信を行い、受信信号を映像化し、得られた映像から被検体内部のボイド、クラック等を観察、解析することができます。
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    No. 機器名 L2 フリップチップボンダー　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー Panasonic
    型番 FCB-3　NM-SＢ50Ａ
    装置概要 ベアICを基板上に高速かつ高精度でフリップチップ実装する装置です。
    加圧方式、熱圧着方式、樹脂接合方式に対応できます。
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    No. 機器名 86 シグナルアナライザ　
    管理棟（旧　実証C）
    メーカー キーサイト・テクノロジー
    型番 N9030A
    装置概要 3Hz～26.5GHzまでの信号の周波数、パワー、高調波成分、変調、スプリアスやノイズの測定とその信号解析を行います。
    LTEなど移動体（携帯電話）の送受信解析に。
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    No. 機器名 L7 ウエハープラズマクリーナー　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー SAMCO
    型番 PC-1100
    装置概要 ウェハプロセスにおいて、ウェハ表面の洗浄や表面改質に使用する装置です。
    主に、シード層形成前の有機物の除去や、めっき前のレジスト残渣除去、および銅表面の濡れ性を向上させるために使用します。
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    No. 機器名 82 有機溶剤現像装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー 滝沢産業（株）
    型番 AD-3000
    装置概要 装置は処理室、アーム式スキャンニングスプレー機構、プログラムコンピュータ
    より構成されます。
    処理方法は上面ドアー開閉し、基板を手動にて投入、セット、基板を回転させ薬品の噴霧により薄膜を処理しドアー開閉、基板取り出しをします。
    基板は現像後、連続工程で洗浄、スピン乾燥（リンス振り切り）を行います。

    ※ 現在、溶剤(Cyclopentanone、PGMEA)の安定供給が難しいため、溶剤は持ち込みをお願いしています。
    ご利用希望の場合はあらかじめ担当研究員へご相談お願いいたします。
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    No. 機器名 21 プリント基板用直接描画装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー (株) SCREENホールディングス
    型番 Ledia 7
    装置概要 半導体パッケージ基板等の回路形成工程において、マスクなしで基板上に直接回路パターンを露光することが可能な装置です。
    光源に高出力UV-LEDを採用しており、365, 385, 405 nmの3波長の出力比を任意でコントロールすることが可能です。
    最小線幅: L/S=10/10 µm、線幅精度: 線幅±10%、アドレスピッチ: 0.4 µm、描画位置精度: 6 µmと、旧装置 (高圧水銀ランプ) よりもファインパターン形成が可能となりました。
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    No. 機器名 28 ソフトエッチ水洗装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー Ampoc Far East
    型番
    装置概要 基板製造において、主にセミアディティブ法 (SAP) 、およびMSAP法で回路形成する際に、エッチングによりシード層を除去するために使用する装置です。
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    No. 機器名 25 基板用バフ研磨装置　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー 株式会社丸源鉄鋼
    型番 MVS-602B
    装置概要 メッキ前のバリ取り研磨を行う装置です。また、メッキ後のザラブツ取り研磨に最適です。これにより、プリント基板生産の不良率を軽減できます。
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    No. 機器名 55 半導体用クリーンルーム対応リフロー炉（８インチ／１２インチウェハー）　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー 千住金属工業（株）
    型番 CX-430
    装置概要 クリーンリフロー炉「ＣＸ－４３０」は、ウエハーレベルのワイヤーボンデングによるフェースアップパッケージングからＦＣＢによるフェースダウン実装といったソルダバンプ形成を目的に開発された最新の装置です。
    クリーン度１,０００対応、分割式熱風レスな均熱加熱、無発塵のウォーキングビーム搬送方式、フラックスヒューム回収機構を装備しており、良好なソルダバンプ形成を実現可能です。
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    No. 機器名 L9 ピール試験機　
    研究開発棟（旧　三次元C）
    メーカー (株) 島津製作所
    型番 EZ-LX
    装置概要 溶着または接着されたサンプルを引き剥がす際に必要となる力 (剥離強度) を測定する装置です。
    半導体製造工程においては、主に、層間絶縁樹脂やビルドアップ材等の樹脂材料と銅との密着性を評価する際に使用されます。
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