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84件の機器がヒットしました。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 L4 ボンドテスタ
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー dage 型番 SERIES4000 装置概要 4000万能型ボンドテスターは、センサーカートリッジを交換することで、あらゆるプル測定及びシェア測定の用途に対応できます。
三次元半導体研究センターでは、接続ワイヤプルテスト、ボールシェア、ダイシェアの測定が可能です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 1件No. 機器名 L5 FIB
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー JEOL(日本電子) 型番 JIB-4500 装置概要 集束イオンビーム(Focused Ion Beam :FIB)装置は、集束したイオンビームを試料に照射し、加工や観察を行う装置です。イオンは試料との最初の衝突でほとんどの運動エネルギーを消費するため、試料最表面を観察したり、ビーム走査の位置と時間を制御することで、3次元的な加工を施すことも可能です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 2件No. 機器名 80 反応性イオンエッチング装置
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー SAMCO 型番 RIE-10NR 装置概要 Si、Poly-Si、SiO2、SiNなどの各種シリコン薄膜と一部樹脂の異方性加工を目的とした平行平板型反応性イオンエッチング (RIE:Reactive Ion Etching) 装置です。
樹脂エッチングをテストする場合は事前に研究員にご相談ください。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 2件No. 機器名 L10 マイグレーション評価装置
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー (株) 平山製作所 型番 HASTEST
PC-242HSR2装置概要 絶縁物の変質や劣化を評価するための装置です。絶縁材料の絶縁評価や吸湿などで発生する絶縁不良現象であるイオンマイグレーション現象の信頼性評価を行うことができます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 L9 ピール試験機
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー (株) 島津製作所 型番 EZ-LX 装置概要 溶着または接着されたサンプルを引き剥がす際に必要となる力 (剥離強度) を測定する装置です。
半導体製造工程においては、主に、層間絶縁樹脂やビルドアップ材等の樹脂材料と銅との密着性を評価する際に使用されます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S1 ウェハ用電解銅めっき(ウェハ銅ポストめっき)
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 自家製 型番 装置概要 ウェハプロセスにおいて、ウェハ上の配線パターンやビアへめっきすることにより、銅配線を形成するための装置です。
電解めっきであるため、レジストで保護されている箇所へはめっきされず、シード層上のみめっきされます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S2 マニュアルめっき装置(SnAgめっき)
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 型番 装置概要 はんだ濡れ性が良くウィスカー発生の心配も少ない優れた特性を持つSnAgめっきを行うための装置です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S3 電解Niめっき
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 型番 装置概要 通電によってニッケル金属の皮膜を析出させるめっきです。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S4 マニュアルめっき装置(Ni/Auめっき)
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 自家製 型番 装置概要 ウェハプロセスにおいて、Pad、バンプ表面の保護やはんだ濡れ性向上のためのNi/Auめっきを行う装置です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 1件No. 機器名 S5 チタン/Cu スパッタ
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー (株)アルバック 型番 SH-450 装置概要 プレーナマグネトロン型ハイレートカソードを用いて、φ8インチの基板上にチタン/Cuの金属膜を成膜するための装置です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S6 二流体洗浄装置
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー ジャパンクリエイト(株) 型番 装置概要 超音速噴射ノズルから蒸気と液体の2流体を超音速で噴射し、対象物の表面に微細な泡を発生させ微細な泡が破裂する衝撃波の剪断力により、対象物に触らず洗浄することができる装置です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 S7 基板用Ni/Auめっき
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 型番 装置概要 基板製造において、Padの保護やはんだ濡れ性向上のためのNi/Auめっきを行う装置です。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 E43 デジタルマイクロスコープ
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー (株) キーエンス 型番 VHX-6000 装置概要 ・非破壊にて表面状態や配線の状態等、微細なエリアの観察に適しています。
・画像連結や2D/3D測定等も可能で、比較的大きなエリアの観察もできます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 29 EMCノイズスキャナー
管理棟(旧 実証C)メーカー 森田テック 型番 WM7400 装置概要 プリント基板などから発生する電磁ノイズを簡単に計測できます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 1 電波強度測定機
管理棟(旧 実証C)メーカー 日本ETSリンドグレン 型番 AMS-8500 装置概要 400MHz - 6GHzの帯域の周波数を測定することが可能です。
マルチアクシスポジショニングシステム(MAPS)、および専用ソフトウェア EMQuest EMQ-100を使用することにより、グレートサークルカット法での測定対象アンテナ/デバイスのTRPやTIS性能を測定、表示することが可能です。
米国CTIAが定めるOTA Test Plan に沿った試験に合格する性能を持っています。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 3 シグナルアナライザ
管理棟(旧 実証C)メーカー キーサイト・テクノロジー 型番 N9030A 装置概要 3Hz~26.5GHzまでの信号の周波数、パワー、高調波成分、変調、スプリアスやノイズの測定とその信号解析を行います。
LTEなど移動体(携帯電話)の送受信解析に。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 5 超広帯域信号源解析システム
管理棟(旧 実証C)メーカー キーサイト・テクノロジー 型番 E5052B、E5053A 装置概要 100KHz~6GHzの周波数帯域の信号を発生させることができます。
無線LAN(802.11a/b/g/j/p/n)波形を簡単に作成できる機能を搭載。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 7 ネットワークアナライザ
管理棟(旧 実証C)メーカー キーサイト・テクノロジー 型番 N5245A 装置概要 10MHz~50GHzの周波数帯域で、高周波信号の反射、伝送特性の測定を行います。
増幅器、ミキサ、周波数コンバータなどのデバイス測定のための多機能なシングル接続マイクロ波テスト・エンジンを装備しています。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 18 恒温恒湿漕
管理棟(旧 実証C)メーカー エスペック 型番 PR-2KP(2台) 装置概要 一定の温度及び湿度の条件下での耐久試験を行います。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 28 切削RPマシン
管理棟(旧 実証C)メーカー ローランドDG 型番 MDX-540 装置概要 樹脂や軽金属を簡単に切削加工できます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 L8 酸化膜エッチング装置
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー SAMCO 型番 RIE-10NR 装置概要 Si、Poly-Si、SiO2などの各種シリコン薄膜やポリイミドなど樹脂薄膜の異方性加工を目的とした平行平板型反応性イオンエッチング (RIE:Reactive Ion Etching) 装置です。(通称 旧10NR)
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 81 超音波探傷装置
(Scanning Acoustic Tomography)
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー (株) SRT 型番 VSA M350 装置概要 本装置は、超音波を応用した映像装置です。3軸スキャナ機構上に設置した超音波探触子を介して超音波の送信と受信を行い、受信信号を映像化し、得られた映像から被検体内部のボイド、クラック等を観察、解析することができます。
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関連する要素技術 0件 関連する実施例 0件No. 機器名 82 有機溶剤現像装置
(Organic Solvent Developer)
研究開発棟(旧 三次元C)メーカー 滝沢産業(株) 型番 AD-3000 装置概要 装置は処理室、アーム式スキャンニングスプレー機構、プログラムコンピュータ
より構成されます。
処理方法は上面ドアー開閉し、基板を手動にて投入、セット、基板を回転させ薬品の噴霧により薄膜を処理しドアー開閉、基板取り出しをします。
基板は現像後、連続工程で洗浄、スピン乾燥(リンス振り切り)を行います。
※ 現在、溶剤(Cyclopentanone、PGMEA)の安定供給が難しいため、溶剤は持ち込みをお願いしています。
ご利用希望の場合はあらかじめ担当研究員へご相談お願いいたします。
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