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事例
概要
三次元集積回路の微細化の要求に対応すべく、直径11μmの微細TSVの制作に取り組んだ微細化する際に必要となったプロセス改善技術について紹介する
設計・構造
プロセスフロー
- フォトリソ（TSV）
- Siエッチング（TSV）
- レジスト除去
- 絶縁膜形成
- シードスパッタ（Ti/Cu）
- Cuフィリングめっき
プロセスポイント
| プロセス | ・Siエッチング（TSV) |
|---|---|
| 目標 | ・垂直にストレートな形状 |
| 改善方法 | ・穴底保護膜除去の最適化 ・Top開口を大きくする |
プロセスポイント
Siエッチング（Boschプロセス）
下図の繰り返しによる高速エッチング
エッチング形状改善①
φ50μｍTSVで最適化されたレシピをφ11μｍTSVに適応すると
エッチング形状改善②
TSV内壁の絶縁膜にCVDを適用すると…
トップが狭まりスパッタが入りにくくなる ×
製造フロー
I-V測定方法
TSVのI-V特性評価
直径50μm（深さ100μm）のTSVと同等レベルの絶縁性を示し、膜厚の影響も少ない
