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事例
概要
福岡大学共同開発 SIPOS-TEG SI0601/SI0602
2.1D/2.5D実装用インターポーザの微細配線形成プロセス評価を目的とするTEG
評価TEGと基本製造条件を使って試作可能です。
お客様のニーズに合わせた条件・プロセスをご提案致します。
TEGパターン詳細
TEG基本仕様
- 品名：SIPOS-TEG SI0601
- チップサイズ:10.0mm×10.0mm
- Pad数:168pad
- Padサイズ:160μm角(メタル層)
- Pad開口サイズ:150μm角(Pro開口)
- Padピッチ:200μm(GSG測定Pad)
- 評価パターン
- クシ歯パターン(絶縁抵抗測定)
- 伝送特性測定パターン１
(コプレーナーライン) - 伝送特性測定パターン２
(マイクロストリップライン) - L/S確認パターン
- ドットパターン(円形、四角形)
キープロセス
- SI0601配線はセミアディティブプロセスで形成
- めっき用レジストパターンは液レジストとステッパーにて形成
- コア材ベースの場合はウエハに貼り合わせて製造
- 下地材料の平坦性がめっき用レジストパターン形成に大きく影響
- シードメタル形成方法
SiO2 または Liquidが下地の場合・・・ドライプロセス(蒸着 or スパッタ―)のTi/Cu
ビルドアップ材が下地の場合・・・ドライプロセス or ウエットプロセス(無電解銅めっき) - 従来のデスミアと無電解銅めっきでは配線間のCu残渣が多発
- 可能な限り低粗度な下地に極薄無電解銅めっき膜を形成することが重要
ドライプロセスを用いた試作例
ウエットプロセスを用いた評価事例
デスミア処理時間の短縮＋極薄無電解銅めっきシード膜にて作製したSIO601 くしばパターン
(3) Cu配線のシード層に異種金属を形成
→異種金属にてシード層形成することによりシードエッチング時の銅配線幅減少を解消
2.1D/2.5D実装用インターポーザのための超微細配線の絶縁信頼性評価
評価装置
評価サンプルと試験条件
評価結果
