Technology Database
技術データベース
微細TSVのCu埋め込み性改善技術
概要
背景・目的
三次元集積回路の微細化の要求に対応すべく、高アスペクトの微細TSVの作製に取り組んだ。
最大の課題はボイドレスでCuを埋め込むことである。
今回、Siエッチングを工夫することで埋め込み性を向上させた。
設計・構造
- Cu埋め込み不良メカニズム
シード膜が繋がっていないと霞流が届かず、電解めっきが成長しない
改善内容
従来のTSVエッチング形状
TSVエッチング形状改善
サムコ（株）と共同特許出願中（特願2017-065406）
