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MEMS向け特殊加工 【ヒサシ形状】
概要
開発背景
MEMS向けに、特殊で微細なパターン形状の評価を行った。
評価内容
Cu/Si/SiO2の積層膜において、下図のようなヒサシ形状をSF6、CHF3、O2ガスを用いてドライエッチング装置で形成した。
目標とする形状図
事前評価
- 垂直方向にSiのエッチングが進行する。
- SiO2膜がエッチングされないことから、Cu直下のSiに向かって横方向のエッチングが進行する。
結果・結論
Siへの横方向のエッチングの時間を最適化することで、目標の形状を得ることができた。
