Technology Database
技術データベース
Fan-Out/2.xD実装をささえる微細再配線RDL形成プロセス改善活動
概要
近年注目されているFan-Outや2.xD構造のパッケージに用いられる再配線プロセスにおいて、微細配線層を形成して、絶縁膜等の評価が盛んに取り組まれている。
当センターでは、L/Sが10μmから1μmレベルまでの評価TEGを各種揃えており、これらを用いた評価を行っている。
Platformの一覧
Platform:SI06XXを用いたプロセスの選択肢
SI1101:SAP:L/S=1/1μm以下へ
SI0821作製プロセス
微細ビアPlatform(SI0801,02)の接続確認
SIPOS-TEG SI0821_01
SI0821の評価提案と実力検証
絶縁抵抗評価(bHAST)、ビア接続性評価(高温放置)が可能
まとめ
- SI0821でRDL向け絶縁樹脂の評価として、絶縁抵抗評価(bHAST)、ビア接続性評価(高温放置)が可能
- L/S=2/2、1/1、0.7/0.7
