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14件の要素技術がヒットしました。
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TSV側壁絶縁膜の電気特性詳細を見る
背景・目的 Via firstプロセスでTSVを形成する場合、側壁の絶縁膜は熱酸化を適用 Via lastプロセスでは先にデバイス面を形成して、さらにサポートガラスに接着剤を用いるため、絶縁膜には低温で成膜できるP-CV […]
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ＣＭＰ均一研磨詳細を見る
背景・目的 CMP工程おいて銅の削れ方が面内で違う為に、銅を完全にとるまでにCMPをかけている時間が長くなってしまう 時間がかかることによって、銅がすでになくなっている箇所のディッシングが加速してしまう 先にSi面までC […]
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部品内蔵基板の内部応力評価詳細を見る
福岡大学共同開発 SIPOS-TEG EB03_CV1 部品内蔵基板の構造、及び構成材料により発生する、内蔵チップ内部の応力を評価する 評価TEGと基本製造条件を使った試作・評価が可能 応力評価TEGキャビティ内蔵基板仕 […]
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ランド形成プロセス詳細を見る
背景・目的 従来のTSVプロセスには、以下の課題がみられる TSVフィリングCuめっき面とPost端子間の密着力不足 TSV形成後にPostや再配線を形成すると、工程が複雑で高価 →VIAフィルCuめっきとPost形成を […]
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極厚レジスト詳細を見る
TSV上のランド形成や銅厚基板、メタルマスク等への厚配線形成プロセスの初期評価を目的とする 評価用パターン詳細 課題点と今後の動き プロセス条件の確立の継続（レジスト剥離・シードエッチング等）（更に微細な配線・ポスト形状 […]
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スルーホールフィリング詳細を見る
部品内蔵基板、半導体パッケージコア基板、パワーモジュール基板へのスルーホールフィリング技術 背景 スルーホールの低抵抗化 スタックビア時の工程削減 放熱性の向上 スルーホール内のCTEミスマッチ改善による信頼性の向上 T […]
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フリップチップ実装の内部応力評価詳細を見る
三次元パッケージに適用される薄いLSIのフリップチップ実装など、PKGの薄型化により、PKG内部応力が信頼性、LSI特性に与える影響が懸念されている。三次元半導体研究センター及び福岡大学・半導体実装研究所では、様々な材料 […]
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内蔵チップ電極形成技術詳細を見る
背景・目的 三次元半導体研究センター・福岡大学半導体実装研究所では部品内蔵基板技術をベースにICチップ、受動部品を配線形成と同時に銅めっき接続して内蔵する製造技術・基板構造(Device embedded module： […]
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微細TSVのCu埋め込み性改善技術詳細を見る
背景・目的 三次元集積回路の微細化の要求に対応すべく、高アスペクトの微細TSVの作製に取り組んだ。最大の課題はボイドレスでCuを埋め込むことである。今回、Siエッチングを工夫することで埋め込み性を向上させた。 設計・構造 […]
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固相拡散接合を用いたフリップチップ接合詳細を見る
シリコン・ガラスインターポーザーを用いた2.5D実装およびTSVを用いた3D高集積パッケージではバンプの微細化・ファインピッチ化が予測され、フリップチップ実装時のマイクロ接合では従来のはんだ等のバンプ材料だけでなく熱拡散 […]
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MEMS向け特殊加工 【ヒサシ形状】詳細を見る
開発背景 MEMS向けに、特殊で微細なパターン形状の評価を行った。 評価内容 Cu/Si/SiO2の積層膜において、下図のようなヒサシ形状をSF6、CHF3、O2ガスを用いてドライエッチング装置で形成した。 目標とする形 […]
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ノンボッシュシリコン加工詳細を見る
開発背景 シリコンの深溝加工には、通常ボッシュ方式が用いられる。これには下図のようなスキャロップ形状やデポ膜付着が発生する。これを防止するため２種のボッシュ方式以外での加工方法を検討した。 評価内容 ２種類のガス種により […]
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レーザー加工機 ビア加工の小径化詳細を見る
小径化の背景 非感光性材料もファイン化が進んでいるためビアの小径化が必要 レーザー加工機概要 小径化の手段 UVレーザーの径を調整するアパーチャを追加搭載 弊所レーザ加工機の特徴 CO2レーザーとUVレーザーが搭載された […]
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Fan-Out/2.xD実装をささえる微細再配線RDL形成プロセス改善活動詳細を見る
近年注目されているFan-Outや2.xD構造のパッケージに用いられる再配線プロセスにおいて、微細配線層を形成して、絶縁膜等の評価が盛んに取り組まれている。当センターでは、L/Sが10μmから1μmレベルまでの評価TEG […]
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