三次元半導体研究センター 社会システム実証センター 公益財団法人福岡県産業 科学技術振興財団

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Technology Database
技術データベース

40 微細パターン加工装置(ステッパー)

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームG

機器外観

概要

No. 40
機器名 微細パターン加工装置(ステッパー) 
メーカー (株)ニコン
型番 NSR-2005i9C
装置概要 半導体製造のパターンニングにおけるリソグラフィ工程にて、ステップアンドリピート方式によりマスクのパターンをウェハ上に縮小投影し露光するフォトリソグラフィ装置(ステッパー)です。 近年は、後工程の配線微細化やMEMS、エンコーダ、マイクロレンズなど光学素子の微細化にも利用されています。
料金/時間 17,300円
主な仕様 解像度:  0.45μm以下
露光光源:  i線(365nm)
縮小倍率:  1/5倍
露光範囲:  □20~17.9×25.2mm
総合アライメント精度(絶対値+3σ):  0.1μm以下
アライメントシステム:  LSA、FIA
寸法・重量:  本体    1,950(W)×2,500(D)×2,500(H);4,300kg
         制御ラック  620(W)×1,500(D)×2,000(H);500kg
特徴 ●高解像度: 
解像度0.45μm以下のi線レンズを搭載し、16MDRAMの本格的量産・64MDRAM・ASIC製造に対応します。

●露光フィールド: 
6インチレチクル使用時には、最大口20㎜まで対応できます。

●フレキシブルなアライメントシステム: 
3つの高性能アライメントシステム①LSA(標準装備)、②FIAを用意、プロセスに応じて最適なシステムを選択できます。 また、アライメント方式ではWeighted-EGA(オプション)を新開発。複数のアライメントショットから得た座標情報を、平均化する統計処理をしていた従来のEGAを改良、より近くのアライメントショットの座標情報をより重視する統計処理を繰り返しながら、個々のショット位置を決定していきます。 ウェハの大型化にともなう非線型な歪みの増大にも対応しうる、より精度の高いアライメント方法です。

●アライメント精度・スループット向上: 
アライメント系の改良により誤差要因をさらに低減。総合アライメント精度は、100nm(0.1μm)を実現しています。 またXYステージの高速化により、スループットの向上を図っています。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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