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Technology Database
技術データベース

44 ウェーハ/支持基板剥離装置
Wafer/Substrate Removal Machine
(ガラス(支持)基板剥離装置)

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームD

機器外観

概要

No. 44
機器名 ウェーハ/支持基板剥離装置
Wafer/Substrate Removal Machine
(ガラス(支持)基板剥離装置) 
メーカー (株)タカトリ
型番 GWSM-300R1
装置概要 本機は、B/G工程の後工程として、テープによるマウント後、ウェハ薄厚化後のウェハと支持基板との分離を目的とした装置です。
料金/時間 8,400円
主な仕様 適用ウェーハサイズ : 8インチ・12インチ
適用支持基板サイズ : 8インチ用/ガラス基板(透明) φ201mm(t=0.8~1.0mm)
          12インチ用/ガラス基板(透明) φ301mm(t=0.8~1.0mm)
適用フレームサイズ : MODFT:2-8-1・MODFT:212-1
UV照射部 : メタルハライドランプ
特徴 ・ワークに対して低温(40℃)でのUV照射が可能です。
・UV照射後、速やかに剥離が行え、かつスイング機構を備えウェーハから支持(ガラス)
 基板をストレス無く分離が可能です。
・UV照射ランプは、メタルハライドランプを使用し、200~450nmの紫外線を照射可能です。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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