Technology Database
技術データベース
機器外観
概要
| No. | 50 |
| 機器名 | リアクティブイオンエッチャー |
| メーカー | サムコ（株） |
| 型番 | RIE-800iPE |
| 装置概要 | 放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用した、MEMS、電子部品用途の高速シリコンディープエッチング装置です。実績豊富なトルネードICP®装置を基礎に、ロバートボッシュ社（独）が有するシリコンディープエッチングに関する特許をライセンス導入して開発され、MEMSに求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した高性能な専用加工装置です。 |
| 料金/時間 | 15,700円 |
| 主な仕様 | 反応室 ：Al製、内径φ432mm 基板ステージ：Al製、φ208mm、静電吸着方式 ICP RF電源 ：Max.3ｋW BIAS RF電源：Max.500W 最大ウエハサイズ：φ8インチウエハー 操作系 ：タッチパネル操作、レシピ管理、データロギング機能 外形寸法 ：1000（W）×1826（D）×1850（H）mm |
| 特徴 | ・30μm/min以上のSiの高速エッチングが可能です。 ・3次元デバイスでのTSV加工が可能です。 ・ウエハー貫通エッチング（深さ600μm） ・最大φ8インチウエハーの加工が可能です。 ・ガスの高速切替を行うことにより、低スキャロップ加工が可能です。 |
設置場所
予約状況
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関連する要素技術 本機器に関する要素技術を紹介します
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