Technology Database
技術データベース
機器外観
概要
No. | 51 |
機器名 | 絶縁膜形成装置 |
メーカー | サムコ(株) |
型番 | PD-200STP |
装置概要 | 液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜(SiO2)形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を形成することが可能です。 |
料金/時間 | 14,700円 |
主な仕様 | |
特徴 |
設置場所

予約状況
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関連する要素技術 本機器に関する要素技術を紹介します
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