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Technology Database
技術データベース

51 絶縁膜形成装置

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームF

機器外観

概要

No. 51
機器名 絶縁膜形成装置 
メーカー サムコ(株)
型番 PD-200STP
装置概要 液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜(SiO2)形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を形成することが可能です。
料金/時間 14,700円
主な仕様
特徴

設置場所

予約状況

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