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Technology Database
技術データベース

53 ウェハーカップ式銅メッキ装置

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームE

機器外観

概要

No. 53
機器名 ウェハーカップ式銅メッキ装置 
メーカー 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤ-ス(株)
型番 CP2010-01-0109
装置概要 半導体ウェハーに銅メッキをするための装置です。貫通絶縁膜処理されたシリコンウェハに貫通配線電極を形成することができます。本装置は、銅めっきに対応する手動めっき装置で、めっき前にめっきが析出するエリア内の脱気を手動で行う真空脱気ユニット(VTU)が内蔵されています。オペレーターが手動でめっきセル(CUP)にシリコンウエハーのめっき面を真下に向けセットし、その後スタートスイッチをタッチすることにより、噴流循環方式にて自動的に銅めっきされます。
料金/時間 14,300円
主な仕様 ・対応試料サイズ: 8インチ シリコンウエハー (ジグ交換により4,6インチ対応可能)
・めっき方式: CUP型ウエハーフェースダウン噴流循環方式
・カソード通電方式: 全周通電方式(ドライ通電タイプ)
・アノード: 溶解性含リン銅
・めっき整流器: 完全直流/パルス(リバース付き)
・めっき操作: タッチパネルにてめっきレシピ作成/自動開始
・めっきレシピ登録数: 100
・めっきレシピステップ数: 8ステップ/レシピ
・管理槽: 40L、ヒーター、冷却水循環冷却機能、フィルター循環
・前後処理: 前処理VTU/回収槽/純水洗槽
・本体サイズ(1CUP):W2000 X D1100 X H1950(mm)
特徴 ・実験・開発段階から量産規模まで対応できるマニュアルめっき装置。
・プロセスに合わせたCUP仕様、及びシステム設計が可能。
・複数CUPの装置では、いくつかのめっきプロセスを同時に実行可能。
・めっきセルは噴流式CUP&全周カソード通電方式採用のため、めっき膜厚のばらつき
 調整を最小限度に抑制可能。
・作業性に配慮したCUP方式採用により、浸漬ラック式等に比べ、ウエハーのセット、
 取り出しが簡単。
・必要な操作を全てタッチパネルに集約し、機能性を充実。
・品種ごとの電流値・めっき時間などのレシピを登録し、プロセスを管理。
・めっきセル、制御盤、整流器を一体化したコンパクトデザインで設置場所を最小限に、
 かつメンテナンスも容易化。
・カッププレーターとEEJAケミカルプロセスとのトータルシステムで
 高品質なTSV埋込み・配線パターンが可能。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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