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55 半導体用クリーンルーム対応リフロー炉(8インチ/12インチウェハー)

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームE

機器外観

概要

No. 55
機器名 半導体用クリーンルーム対応リフロー炉(8インチ/12インチウェハー) 
メーカー 千住金属工業(株)
型番 CX-430
装置概要 クリーンリフロー炉「CX-430」は、ウエハーレベルのワイヤーボンデングによるフェースアップパッケージングからFCBによるフェースダウン実装といったソルダバンプ形成を目的に開発された最新の装置です。
クリーン度1,000対応、分割式熱風レスな均熱加熱、無発塵のウォーキングビーム搬送方式、フラックスヒューム回収機構を装備しており、良好なソルダバンプ形成を実現可能です。
料金/時間 8,300円
主な仕様 電   源 : AC200V 50/60Hz 3相 24KW 100A
装置寸法 : 3,000L×1,300W×1,260T mm (重量1,800kg)
パスライン : 900±30 mm
適応基板幅 : φ200、φ300 mm (φ150可、別途要相談)
加 熱 長  : 1,500mm (375×4ゾーン)
加熱方式 : ヒータ分割+遠赤・輻射加熱 (PID制御)
冷 却 長  : 375mm
冷却方式 : N2ガスパージ
搬送方式 : ウォーキングビーム方式
搬送有効高さ : 搬送面上10mm
掃気回収処理 : 炉体入口・出口より排気ブロアによる強制排気
窒素ガス消費量 : 250L/min(炉内酸素濃度100ppm以下/ウエハー連続搬送時)
フラックスヒューム回収装置 : 循環ブロアによる水冷・循環方式
炉内洗浄度 : クラス1,000(0.5μm) 
特徴 ・ウォーキングビーム搬送方式と遠赤・輻射加熱方式で炉内洗浄度クラス1,000を実現しています。
・気密性に優れたチャンバー構造により炉内酸素濃度100ppm以下となります。
・加熱炉内で発生したフラックスヒュームは、回収装置によって、回収・除去します。
・加熱部は4ゾーンで、各ゾーン8ブロック分割制御されており、高自在性な温度設定が
 可能です。
・発塵しないウォーキングビーム方式で、タクト運転により、各ゾーンで安定した加熱が
 可能です。
・強制対流を必要としない遠赤外線・輻射加熱方式である為、熱風によるバンプ表面
 仕上がり不良を抑制します。
・鉛フリーはんだ・高温はんだのはんだ付けに対応しています。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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