三次元半導体研究センター 社会システム実証センター 公益財団法人福岡県産業 科学技術振興財団

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Technology Database
技術データベース

58 高周波パラメータ測定システム

三次元半導体研究センター
分析
電気特性評価室

機器外観

概要

No. 58
機器名 高周波パラメータ測定システム 
メーカー アジレント・テクノロジー株式会社
型番 N5245A
装置概要 半導体素子の高周波特性を評価するために使用します。能動素子内蔵基板に高周波(交流)、高電圧(直流)で電気的測定を行い、被測定物の各種電気特性を正確に把握でき、研究・開発に貢献可能です。
料金/時間 11,900円
主な仕様 ネットワーク・アナライザ(E8364C)
測定項目:Sパラメータ、利得圧縮、相互変調歪など
測定周波数:10MHz~50GHz
測定ポート数:4ポート
最大出力電力:+16dBm
パワーデバイス・アナライザ/カーブトレーサ(B1500A)
測定項目:DC測定(IVカーブ)、容量測定
動作範囲:-200V~+200V、-1A~+1A
測定分解能:0.5uV、1fA
インピーダンス・アナライザ(4294A)
測定項目:インピーダンス、等価回路導出
測定周波数:40Hz~11MHz
特徴 ・50GHzまでの高周波特性をSパラメータとして測定でき、能動素子内蔵基板の高周波特性を正確に把握できるため、ミリ波分野の無線通信モジュールの研究・開発に有効です。
・高電圧直流を印加状態での極微小直流電流を測定でき、被測定物のごく僅かな変化を正確に把握できるため、信頼性評価の研究・分析に有効です。
・直流および高周波では観測困難な110MHzまでの低周波のインピーダンスを測定することにより、能動素子内蔵基板の電気的特性を正確に把握できるため、信頼性評価の研究・分析に有効です。
・機器類を統合した測定システムにより、より効率的な測定が可能です。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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