三次元半導体研究センター 社会システム実証センター 公益財団法人福岡県産業 科学技術振興財団

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Technology Database
技術データベース

S4 マニュアルめっき装置(Ni/Auめっき)

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームE

機器外観

概要

No. S4
機器名 マニュアルめっき装置(Ni/Auめっき) 
メーカー 自家製
型番
装置概要 ウェハプロセスにおいて、Pad、バンプ表面の保護やはんだ濡れ性向上のためのNi/Auめっきを行う装置です。
料金/時間 50,800円
主な仕様 対応サイズ: 6インチ、8インチウェハ

【プロセスフロー】
 クリーナー → マイクロエッチ → 活性 → キャタリスト → ポストディップ → 無電解Niめっき → 置換Auめっき

【使用薬液】
 クリーナー: DP-320 クリーン
 マイクロエッチ: 過硫酸ナトリウム+硫酸
 活性: 10 wt% H2SO4
 キャタリスト: ICP アクセラ KCR
 ポストディップ: 10 wt% H2SO4
 無電解Ni: ICP二コロンGME (NP)
 置換Au: ムデンノーブルAU/亜硫酸金塩水溶液 (ノンシアン系)
特徴 ・ウェハのPadパターンをNi/Auめっきすることで、Pad部を保護することが可能です。
・バンプ表面にNi/Auめっきすることで、はんだとの濡れ性を向上させることができ、接続信頼性が向上します。

設置場所

予約状況

下記で装置の予約状況を確認いただけます。(準備中)

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