三次元半導体研究センター 社会システム実証センター 公益財団法人福岡県産業 科学技術振興財団

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Technology Database
技術データベース

L8 酸化膜エッチング装置

三次元半導体研究センター
ウェハ
クリーンルームF

機器外観

概要

No. L8
機器名 酸化膜エッチング装置 
メーカー SAMCO
型番 RIE-10NR
装置概要 Si、Poly-Si、SiO2などの各種シリコン薄膜やポリイミドなど樹脂薄膜の異方性加工を目的とした平行平板型反応性イオンエッチング (RIE:Reactive Ion Etching) 装置です。(通称 旧10NR)
料金/時間 9,100円
主な仕様 ・使用ガス:O2、CHF3、SF6
特徴 電極間距離を変更可能であり、エッチングレート・均一性の改善が図れる。

設置場所

予約状況

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