Technology Database
技術データベース
機器外観
概要
| No. | 51 |
| 機器名 | 絶縁膜形成装置 |
| メーカー | サムコ（株） |
| 型番 | PD-200STP |
| 装置概要 | 液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜（SiO2）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を形成することが可能です。 |
| 料金/時間 | 14,700円 |
| 主な仕様 | |
| 特徴 |
設置場所
予約状況
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